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ST意法半导体推出新款MasterGaN4器件,实现高达200瓦的高能效功率变换
发布日期:2021-4-21 20:05:11 点击次数:91
 

ST意法半导体推出新款MasterGaN4器件,实现高达200瓦的高能效功率变换

    意法半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管,以及优化的栅极驱动器和电路保护功能,可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。

    作为意法半导体MasterGaN系列的最新产品,MasterGaN4解决了复杂的栅极控制和电路布局难题,简化了宽带隙GaN功率半导体的应用设计。MasterGaN4的输入容许电压为3.3V-15V,可以直接连接到控制器,例如,霍尔效应传感器或微控制器、DSP处理器、FPGA可编程器件等CMOS芯片。

    GaN晶体管开关性能出色,工作频率更高,能效更高,散热发热更少,设计人员可以选用尺寸更小的磁性组件和散热器,设计更小、更轻的电源、充电器和适配器。MasterGaN4非常适用于对称半桥拓扑以及软开关拓扑,例如,有源钳位反激式和有源钳位正激式变换器。

    4.75V-9.5V的宽电源电压方便MasterGaN4连接到现有电源轨。内置保护功能包括栅极驱动器互锁、高低边欠压锁定(UVLO)以及过热保护,可进一步简化应用设计。还有一个专用的关断引脚。

    作为这次产品发布的一部分,意法半导体还推出一个MasterGaN4原型开发板(EVALMASTERGAN4)。这块评估板提供使用单一或互补信号驱动MasterGaN4的全部功能,以及一个可调的死区时间发生器。用户可以灵活地施加一个单独输入信号或PWM信号,插入一个外部自举二极管,隔离逻辑器件和栅极驱动器电源轨,以及使用一个低边电流采样电阻设计峰值电流模式拓扑。

    MasterGaN4现已投产,采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封装,超过2mm的爬电距离确保在高压应用中的使用安全。
 

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