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ST意法半导体新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET提高能效,最大限度降低开关功率损耗
发布日期:2021-11-22 10:23:31 点击次数:124
 

ST意法半导体新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET提高能效,最大限度降低开关功率损耗

     STPOWER MDmesh K6 新系列超级结晶体管改进多个关键参数,最大限度减少系统功率损耗,特别适合基于反激式拓扑的照明应用,例如, LED 驱动器、HID 灯,还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。

     意法半导体 800V STPOWER MDmesh K6系列, 为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的标杆。MDmesh K6 的RDS(on) x 面积参数在市场上现有800V产品中处于领先水平,能够实现紧凑的集高功率密度与市场领先的能效于一身新的新设计。

     此外,K6 系列的阈压比上一代 MDmesh K5更低,可使用更低的电压驱动,从而降低功耗并提高能效,主要用于零功耗待机应用。总栅极电荷 (Qg) 也非常低,可以实现高开关速度和低损耗。

     芯片上集成一个 ESD 保护二极管,将 MOSFET 的整体鲁棒性提高到人体模型 (HBM) 2 级。

     意大利固态照明创新企业TCI的首席技术官、研发经理 Luca Colombo 表示:“我们已经测评了新的超结超高压 MDmesh K6 系列的样片,并注意到其出色的 Rdson* 面积和总栅极电荷 (Qg) 性能特点,给我们印象深刻。”

     采用 TO-220 通孔封装的 STP80N240K6 (RDS(on)max = 0.22Ω, Qgtyp = 25.9nC)是首批量产的 MDmesh K6 MOSFET,ST eSTore网上商店现已提供免费样片。DPAK 和 TO-220FP 版本将于 2022 年 1 月前量产。订购1000 件,单价1.013 美元起。

     意法半导体将于 2022 年前推出MDmesh K6 的完整产品组合,将导通电阻RDS(on)范围从 0.22Ω 扩大到 4.5Ω,并增加一系列封装选项,包括 SMD 和通孔外壳。
 
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